Система ASEC-03 предназначена для исследования электрических и фотоэлектрических свойств и определения электрофизических параметров полупроводниковых и диэлектрических материалов, а также гомо и гетероструктур на их основе.

Система может быть использована как для проведения комплексных научных исследований, так и для тестовой диагностики разнообразных материалов и устройств.

• Q-DLTS - Зарядовая релаксационная изотермическая спектроскопия глубоких уровней с электрическим или оптическим возбуждением.
• I-V - Динамические и квазистатические вольт- амперные характеристики.
• С-V - Вольт-емкостные характеристики с линейным и импульсным сканированием
• Vph(t), Iph(t) - Кинетика фотонапряжения и фототока при различной интенсивности импульсного освещения

Определяемые параметры

• Энергия активации, сечение захвата и плотность глубоких уровней (электрически активных дефектов), а также их распределение по объему образца.
• Спектр и концентрация поверхностных состояний.
• Ток утечки, насыщения и энергия активации проводимости. - Диэлектрическая проницаемость и напряжение пробоя тонких пленок
• Изгиб зон (поверхностный потенциал) на поверхности и границах раздела гомо и гетероструктур основные характеристики
• Чувствительность:
  токовая, I – 1пA,
  зарядовая, DQ – 5х10-16 Кулон.
• Концентрационная чувствительность Nt/N – 5х10-7 (Nt – концентрация глубоких уровней, N – концентрация свободных носителей).
• Диапазон изменения временного (скоростного) окна, tm – 2х10-6 - 200 сек.
• Диапазон изменения температур, T – 80-520 К