Устройство предназначено для исследования полевой электронной эмиссии с нанометровым пространственным разрешением. СТЭМ обеспечивает измерение 4-х параметров поверхности образцов:
- рельеф поверхности;
- распределение полевой электронной эмиссии;
- распределение работы выхода электронов;
- локальная электропроводность.

Технические характеристики:

• Электрическое напряжение – 0.1 – 10 В.
• Эмиссионный ток - 0,5-5 нА.
• Диапазон точного перемещения образца – до 20 мкм.
• Диапазон грубых перемещений образца – до 20 мм.
• Площадь скана – до 2×2 мкм².
• Количество измерительных точек (пиксел) на скане - 128×128.
• Разрешающая способность  - 2 нм.

Условия измерений:

Вакуум  - до ~ 10^-6 Торр
Температура – 300 К.