Разработаны методы контролируемого формирования люминесцирующих центров в наноалмазах, синтезированных осаждением из газовой фазы (CVD) и при высоких давлениях и температурах (НРНТ). Определены спектральные характеристики одиночных центров при комнатных и криогенных температурах.


Установлено, что наноалмазы, синтезированные из адамантана, демонстрируют самую узкую Фурье-ограниченную ширину линий оптических переходов одиночных SiV-центров при криогенных температурах среди известных SiV-содержащих наноалмазов.
Впервые исследованы люминесцентные свойства одиночных SiV-центров в малых (<100 нм) CVD-синтезированных алмазных частицах с использованием нерезонансного и резонансного возбуждений при криогенных температурах. Определена типичная ширина линии SiV ~1 ГГц для спонтанно зародившихся наноалмазов.

Совместный проект с ИФВД РАН. Совместные исследования с лабораторией нанооптики института Макса Планка в Эрлангене и лабораторией квантоворазмерных гетероструктур ФТИ им. Иоффе. Совметный проект с Institute of Materials Research and Engineering, Agency for Science Technology and Research, Singapore и лабораторией алмазных материалов ИОФ РАН.